多领域布局，打破国外垄断，晶盛机电成就晶体制造技术专家！
公司在底层关键技术的领先奠定了其在更多晶体领域领先的基础，目前在光伏、半导体硅片、蓝宝石、SiC等四个领域均有成熟布局，且有望向其他领域晶体制备进一步拓宽。
据安信证券研报分析，公司携手应材增资控股科盛装备，收购丝印、晶圆检测设备，进一步丰富公司光伏设备、半导体产品线，打造产业链平台型公司，提升公司综合竞争实力。
一、深耕上游材料领域，晶体制造技术专家
公司在长晶设备领域不断取得技术突破，并打破国外垄断。据公司公告，公司在2007年研发出国内首台全自动直拉式单晶硅生长炉，打破国外垄断，在2008年研制出国内规模最大的全自动直拉式单晶硅生长炉，改变了12英寸大规格单晶硅生长炉设备依赖国外进口的格局。在蓝宝石晶体设备领域，公司刷新生长蓝宝石晶体最大尺寸，2018年生长出450kg蓝宝石晶体，2020年研发成功700kg级别超大尺寸蓝宝石晶体。
技术积累雄厚，实现多领域布局。公司凭借在晶体长晶设备领域先进的技术支撑，在集成电路、太阳能光伏、LED、工业4.0均有布局，先后与中环股份、蓝思科技、应用材料等合作成立子公司，打开多领域成长空间，达成业务协同，助力公司长足发展。公司客户覆盖中环股份、晶科、晶澳等国内知名光伏企业，以及金瑞泓、有研、合晶等优质半导体企业，客户质量优质，行业地位稳定。
蓝宝石是一种氧化铝的单晶，其晶体结构与LED发光半导体氮化镓相似，同时具有相对较低的制备成本及优良的加工性能，成为LED芯片制造时用量最大的衬底材料。蓝宝石晶体具有优良的光学、电学和机械性能，其硬度仅次于钻石。广泛应用于手表表镜、摄像头视窗、手机面板、船舶海洋、航空航天等领域。蓝宝石晶体的生长方法主要有泡生法、提拉法、区熔法、导模法、坩埚移动法、热交换法、温度梯度法、焰熔法等。
碳化硅的制备方法与硅及蓝宝石有所不同，需要现对原料进行合成，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，生成SiC微粉，再采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅晶体，再通过切割、研磨、抛光等工序制成碳化硅晶片，由于SiC硬度及耐热程度均高于硅及蓝宝石，因此其加工难度最大。
二、晶体生长技术具有共通性，公司掌握核心技术未来延展性强
目前几种主流的生产硅、蓝宝石半导体材料的晶体生长方法均采用熔融法。熔融法是指从熔体中生长晶体，常用于制备大单晶和特定形状的单晶，广泛应用于电子学和光学等领域单晶材料的生长制备，其原理为先将生长晶体的原料熔化，再在一定条件下使之凝固变成单晶，其中多晶硅熔点为1420°、三氧化二铝熔点为2050°、碳化硅熔点为2700°。晶体生长炉核心技术之一：热场与温度梯度。热场是晶体生长中的热系统，是指为了熔化硅料，并使原料生长保持在一定温度下进行的系统。热场分布形成了合适的温度梯度，使单晶能够快速高效生长。晶体生长过程涉及到严格的温度控制，通常在梯度场中进行。传热方式控制是结晶界面的宏观、微观形貌及生长速率控制的主要手段，传热过程决定着结晶过程能否进行，而且对于得到的晶体的平滑度、均匀性都有一定影响。
通过对比CZ直拉法生产单晶硅、泡生法生产蓝宝石、PVT法生长碳化硅等几种主流晶体生长方式，晶体生长的温度都达到了1400℃以上的高温，其中碳化硅和蓝宝石的生长过程都达到了2500℃高温。长晶炉加工制作工艺的精密要求高，要求反应室及炉体具有优异的密封性、耐高温和隔热性，致使长晶炉的结构和设计变得极其复杂，形成热场和良好有效的控温是长晶设备研发的难点之一。
晶体生长设备的核心在于工艺控制，核心部件包括自动控制系统、温度控制和热场等，技术有一定的共通性和延展性。公司在底层关键技术的领先奠定了其在更多晶体领域领先的基础，同时公司还延伸到切、磨、抛、外延等生长后处理阶段，成长为晶体制造一体化设备龙头；在掌握设备制造技术的基础上，延伸到下游材料领域，发展空间不断延展。（安信证券）
总结：
近日公司宣布与应用材料合资成立子公司，再次表明公司持续打开多领域业务新格局，有望打造泛半导体产业链综合平台
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