项目投资总额超600亿，供货三星，三安光电强者恒强！

三安光电是国内LED及化合物半导体领域龙头企业。公司于2000年成立，主攻LED业务。2011年公司开始布局蓝宝石衬底，向上游关键物料延伸。2013年公司收购luminous，布局通用照明。2014年，公司成立三安集成，开始布局通讯微电子器件业务。2017年，公司成立泉州三安，布局七大项目，全面提升产能规模，并于同年收购Norstel，布局碳化硅衬底制造。

据信达证券研报分析，经过行业洗牌后，公司竞争优势将更加显著，市场份额有望进一步提升。新市场方面，Mini/MicroLED是行业新蓝海，公司已抢先布局，目前MiniLED业务占比已达7-8%，芯片产品也已批量供货三星，成为其首要供应商。

一、LED芯片龙头，加速布局化合物半导体

公司的LED产品类型已涵盖汽车照明、Mini-LED、Micro-LED、高光效、紫外、红外、植物照明等应用，营销网络遍布全球。在高端LED产品方面，公司的Mini-LED、Micro-LED芯片已实现批量供货三星，成为其首要供应商并签署供货协议；并与TCL华星成立联合实验室推进Micro-LED的市场化进程。

凭借在LED领域积累的工艺技术，公司积极布局化合物半导体业务，主要包含射频通信、功率器件两类。通讯射频主要包括砷化镓、碳化硅基氮化镓、磷化铟等业务，下游产品包括手机前端射频、光通信产品、基站射频等。功率业务主要包括碳化硅和硅基氮化镓两种业务，主要产品包括光伏逆变器、汽车电子、电源供应器等。

公司近几年加大投资力度，加速进军化合物半导体领域。2017-2020年，公司主要投资的项目涵盖光通信器件、滤波器、射频器件、Mini/Micro-LED、碳化硅等领域，总投资额超过600亿元。公司营业收入规模在行业内具有绝对优势，且差距仍在不断扩大。2020年三安光电实现营收85.54亿元，同比增长13.32%。而行业第二的晶元光电实现营收33.66亿元，同比下降9.39%。此外，国内LED厂商如华灿光电、乾照光电以及聚灿光电分别实现营收26.44亿元、13.16亿元和14.07亿元。

公司盈利能力强，毛利率始终处于行业最高水平。作为龙头企业，三安光电拥有LED全行业最大的产能，因此规模成本优势显著。过去三年，随着LED行业竞争的加剧，行业盈利水平下降，多数企业陷入亏损，公司利润依然坚挺。2018-2020年，公司分别实现毛利率44.71%、29.27%和24.47%，均为行业最高水平，领先第二名的聚灿光电近15个百分点。

子公司三安集成发力化合物半导体业务，近几年业绩增速迅猛。根据公司公告数据，公司化合物半导体平台-三安集成的营收从2017年的2594.05万元迅速增长至2020年的9.74亿元，年均复合增速高达200%以上，实现快速增长。同时，化合物半导体业务收入占公司总营收比例也快速攀升，由最初的不足1%提升至2020年的11.4%。我们认为，三安集成作为公司重点布局的化合物半导体平台，长期发展空间广阔，且伴随长沙、泉州产线新产能陆续释放，其收入规模将继续保持快速增长。同时，随着三安集成生产规模化扩大以及稼动率不断提升，公司成本优势将逐渐显现，有望较快实现盈利。

二、LED行业强者恒强，Mini/Micro-LED驱动未来成长

LED是一种半导体发光材料，主要由砷化镓、磷化铟等材料制成。因其节能、发光效果好，在照明、显示等领域应用广泛。根据LEDinside的数据，2018年全球LED市场规模约为184.73亿美元。LED通用照明的普及率自2012年来不断提升，2018年我国的渗透率已达70%。通用照明对LED市场的驱动力将逐渐下降，但随着Micro/MiniLED和汽车显示的快速增长，2020年后LED市场规模有望再度恢复增长，预计到2023年将达到220亿美元。 

LED制造涉及衬底和上、中、下游制造四个部分，公司已实现全产业链布局。LED的制造步骤主要可以分为四个部分：衬底制造、外延生长、芯片制造和封装成品。公司在2011年成立晶安光电，布局蓝宝石衬底，目前已形成从衬底到成品的完整布局。全产业链的布局放大了公司的成本优势，同时也保障了公司经营的稳定性。

凭借衬底自产，三安光电可在芯片成本端建立优势。根据智研咨询数据，衬底材料在LED芯片成本中占比三成。晶安光电作为行业龙头、且拥有上游蓝宝石平片自制能力，因此其真实毛利率应不低于中图科技，若以20%来进行估算（根据Wind数据，中图科技2020年前三季度毛利率为14.6%），则三安凭借衬底自产将提升毛利率约6%。

三、进军电力电子领域，SiC引领行业趋势

第三代半导体主要包括碳化硅和氮化镓，是未来功率器件的理想材料。由于碳化硅良好的的耐压性和耐热性，因此非常适合用于制造高功率电力电子器件。在二极管和MOSFET领域，碳化硅已经直接与硅器件竞争。而氮化镓则拥有更优异的高频特性，故而其适用于消费类中低功率高能效电力电子器件。

碳化硅器件制造主要涉及衬底制造、外延生长、器件制造和模块封装等步骤。碳化硅粉末经过熔融、拉晶、切片、打磨等步骤制成衬底。衬底在外延炉中外延一层碳化硅，制成外延片。外延片经过光刻、蚀刻等步骤成为芯片，经过封装制成器件产品。器件既可以出售，也可以根据下游需求交由下游模块厂封装制作模块。

前瞻布局关键材料，碳化硅业务迈向国际领先。碳化硅的成本结构中衬底占比最大，根据CASA的数据，一个碳化硅器件约有47%的成本来源于衬底。从产业格局来看，碳化硅衬底目前呈现寡头垄断格局，CREE占据超过60%的市场份额，CREE、II-VI、Sicrystal三家公司市场占有率超过90%，国内企业市场份额严重不足。不过，三安光电的子公司北电新材拥有碳化硅衬底制造能力，且良率已超过95%、产品质量达业内领先水平。

公司完整布局碳化硅产业，拥有从衬底到器件全产业制造能力。目前国内能够量产碳化硅器件的企业主要是三安光电和扬杰科技。其中扬杰科技主营芯片生产与封装，因此国内拥有从材料到器件全产业链生产能力的公司仅有三安光电一家。放眼全球，除公司外，还有CREE、Sicrystal及ST三家厂商实现了全产业链生产。由于碳化硅器件的主要成本来源于衬底，拥有衬底制造能力的公司将拥有巨大的成本优势。伴随长沙碳化硅超级工厂建设，公司碳化硅制造能力将稳步迈向国际一流水平。（信达证券）

总结：

我们认为在碳化硅领域的布局有望为公司带来长期竞争力，未来太阳能、新能源汽车、消费电子三大市场将驱动公司电力电子业务腾飞。