算力芯片稀缺龙头，光模块核心供应商，华为参股，确定性极强！

今年的AI格外热闹，自从ChatGPT之后，各大科技巨头的大模型层出不穷，算力相关需求大幅增加。

英伟达预计2024年H100的出货量将达到150万至200万块，相比预期的50万块大幅增加，而且2024年的出货都已经有了下家。

AMD在12月6日也发布了相媲美的MI300芯片，预计2024年出货也有30-40 万颗，最大客户是微软、谷歌。

仅仅这两大产品H100和MI300，预计明年出货量在180-240万颗。800G光模块的对应需求预计720-960万颗。每个800G光模块需要8颗100G EML光芯片，仅此需要高达6000-8000万颗。

目前100G EML光芯片全球的产能在3500颗-4000万颗，而且光芯片新产能建设周期在2年左右，因此，100G EML光芯片的供应明年或出现较大的缺口，光模块产业链的利润将流向100G EML光芯片。

那么，为何必须使用100G的EML芯片呢？

在光模块中，激光芯片将接收的电信号转换为光信号后，再通过传输，最终实现电光信号转换和信息传输。

因为光模块要想传输速率提高，最主要的途径就是提升激光器芯片的速率，更高性能的光芯片就是必须的途径。

目前光模块技术中，光芯片有以下几种不同的类型。其中，EML芯片频率高、稳定性好，适合高速率长距离传输；但是成本也相对较高，在之前800G以下规格的光模块中，性价比不高，因此市场占比较低。

在光模块现有产品中，40G光模块主要使用10G光芯片，100G多使用25G光芯片，400G光模块就要升级到50GEML光芯片。对于当前800G的高速光模块来说，单颗100G的EML光芯片就成了必需的技术路线。

因此，800G高速光模块出货量提升带动光芯片向高端升级，进而给相关公司业绩带来量价齐升的效果，光芯片供应商盈利面临改善。

那么对于国内公司来说，光芯片机会又如何呢？

根据光模块行业数据来看，光器件占光模块成本的比重为73%，这部分又细分为光器件元件（46%）和 光/电芯片（27%）。其中，光芯片占比最高有48%；其次为电芯片的占比32%。

从成本角度来看，光模块成本受光芯片的影响还是很高的。

受限于技术和行业起步晚的因素，国内厂商主要聚焦应用于电信市场光纤接入和无线接入领域的中低端激光器芯片，目前我国光通信高端核心芯片90%以上需要进口。

光芯片作为影响光模块可靠性、速率的核心部件，客户粘性强、壁垒高。产品进入下游客户供应链需要经过长期的审核、验证以及小批量试用。一旦进入供应链后，很难再被替代，原有的产业链固定，没有新公司进场的机会。

现在全球光芯片市场的产能缺口较大，对于国内尚处于起步阶段的高端光芯片行业来说，也是难得的入场机遇。

那么，哪些公司能够受益于本轮800G光模块的技术升级呢？

对于本轮800G光模块所需的100G EML光芯片来说，最受益的公司是光芯片公司和上游原材料供应商。

100G EML光芯片方面有华西股份（旗下索尔思）、光迅科技、长光华芯、源杰科技等公司。

源杰科技，公司是国内领先的光芯片供应商，目前主要产品为光芯片，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。

公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控。

作为国内少有的光芯片公司，也吸引了产业巨头的入股，中际旭创旗下宁波创泽，华为旗下哈勃，都是公司的十大股东之一。

在光通信领域中，主要产品包括2.5G、10G、25G、50G以及更高速率的DFB、EML激光器系列产品和大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信网络和数据中心等领域。2023年04月07日在互动中表示，面向400G和800G高速率模块的光芯片正在研发中。

目前，公司产品获得下游客户的高度认可,已实现向客户A1、海信宽带、中际旭创、博创科技、铭普光磁等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货,产品用于客户A、中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商,并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、AT&T等国内外知名运营商网络中,已成为国内领先的光芯片供应商。

背靠行业巨头，业绩也是持续增长，未来随着高速光芯片研发成功并供货，将会成为公司新的业绩增长点。

光迅科技，公司目前主要产品包括光电子器件、模块和子系统产品。既是光模块厂商，也是光芯片厂商。在光模块方面，公司在全球光器件行业中排名第4。

公司核心竞争力在于全面的技术储备、产品多元化、高质量交付能力、产业链的垂直整合能力。

产业链方面，公司产品覆盖全面，拥有从芯片、器件、模块到子系统的垂直集成能力。尤其是光芯片方面，公司拥有多种类型激光器（FP/DFB/EML/VCSEL）和探测器（PD/APD）以及Sip芯片平台，有助打造更加稳定的供应链，发挥各环节之间的协同效应。

依靠全产业链的自主可控能力，公司在业绩和净利方面保持了长期稳定增长的趋势。随着EML芯片的产能不足，公司依靠光芯片的产能也能从中受益。

上游原材料方面，EML光芯片使用的是磷化铟衬底方案，这方面关注云南锗业。

目前的光芯片主要使用磷化铟和砷化镓作为衬底材料。磷化铟衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域。

原材料供应格局集中，云南锗业，砷化镓晶片产能为80万片/年，磷化铟晶片产能为15万片/年，产能明确的行业龙头。

总的来说，全球高端光芯片产能不足，对于国内公司来说是难得的进场机会，我们继续关注相关公司的产品研发进度。